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LDO
來(lái)源:作者:小哈皮日期:0000-00-00 00:00:00點(diǎn)擊:7015次

LDO是low dropout regulator,意為低壓差線性穩(wěn)壓器,是相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5v轉(zhuǎn)3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v,顯然是不滿足條件的。針對(duì)這種情況,才有了LDO類的電源轉(zhuǎn)換芯片。

LDO的概念

LDO 是一種線性穩(wěn)壓器。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備,其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似。

更新的發(fā)展使用 MOS 功率晶體管,它能夠提供最低的壓降電壓。使用 功率MOS,通過(guò)穩(wěn)壓器的唯一電壓壓降是電源設(shè)備負(fù)載電流的 ON 電阻造成的。如果負(fù)載較小,這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。
DC-DC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換),只要符合這個(gè)定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器,包括LDO。但是一般的說(shuō)法是把直流變(到)直流由開(kāi)關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DCDC。

LDO是低壓降的意思,這有一段說(shuō)明:低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器的成本低,噪音低,靜態(tài)電流小,這些是它的突出優(yōu)點(diǎn)。它需要的外接元件也很少,通常只需要一兩個(gè)旁路電容。新的LDO線性穩(wěn)壓器可達(dá)到以下指標(biāo):輸出噪聲30μV,PSRR為60dB,靜態(tài)電流6μA(TI的TPS78001達(dá)到Iq=0.5uA),電壓降只有100mV(TI量產(chǎn)了號(hào)稱0.1mV的LDO)。 LDO線性穩(wěn)壓器的性能之所以能夠達(dá)到這個(gè)水平,主要原因在于其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET,而普通的線性穩(wěn)壓器是使用PNP晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要電流,所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面,采用PNP晶體管的電路中,為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力, 輸入和輸出之間的電壓降不可以太低;而P溝道MOSFET上的電壓降大致等于輸出電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小,因而它上面的電壓降非常低。

如果輸入電壓和輸出電壓很接近,最好是選用LDO穩(wěn)壓器,可達(dá)到很高的效率。所以,在把鋰離子電池電壓轉(zhuǎn)換為3V輸出電壓的應(yīng)用中大多選用LDO穩(wěn)壓器。雖說(shuō)電池的能量最後有百分之十是沒(méi)有使用,LDO穩(wěn)壓器仍然能夠保證電池的工作時(shí)間較長(zhǎng),同時(shí)噪音較低。

如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近,就要考慮用開(kāi)關(guān)型的DCDC了,因?yàn)閺纳厦娴脑砜梢灾?,LDO的輸入電流基本上是等于輸出電流的,如果壓降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。
DC-DC轉(zhuǎn)換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大電流、靜態(tài)電流小。隨著集成度的提高,許多新型DC-DC轉(zhuǎn)換器僅需要幾只外接電感器濾波電容器。但是,這類電源控制器的輸出脈動(dòng)和開(kāi)關(guān)噪音較大、成本相對(duì)較高。

近幾年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,表面貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控制芯片的成本不斷降低,體積越來(lái)越小。由于出現(xiàn)了導(dǎo)通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。例如對(duì)于3V的輸入電壓,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次,對(duì)于中小功率的應(yīng)用,可以使用成本低小型封裝。另外,如果開(kāi)關(guān)頻率提高到1MHz,還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器電容器。有些新器件還增加許多新功能,如軟啟動(dòng)、限流、PFM或者PWM方式選擇等。
總的來(lái)說(shuō),升壓是一定要選DCDC的,降壓,是選擇DCDC還是LDO,要在成本,效率,噪聲和性能上比較。

LDO的工作原理

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本電路


如圖1-1所示,該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成。

取樣電壓加在比較器A的同相輸入端,與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較,兩者的差值經(jīng)放大器A放大后,控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降,從而穩(wěn)定輸出電壓。當(dāng)輸出電壓Uout降低時(shí),基準(zhǔn)電壓與取樣電壓的差值增加,比較放大器輸出的驅(qū)動(dòng)電流增加,串聯(lián)調(diào)整管壓降減小,從而使輸出電壓升高。相反,若輸出電壓Uout超過(guò)所需要的設(shè)定值,比較放大器輸出的前驅(qū)動(dòng)電流減小,從而使輸出電壓降低。供電過(guò)程中,輸出電壓校正連續(xù)進(jìn)行,調(diào)整時(shí)間只受比較放大器和輸出晶體管回路反應(yīng)速度的限制。

應(yīng)當(dāng)說(shuō)明,實(shí)際的線性穩(wěn)壓器還應(yīng)當(dāng)具有許多其它的功能,比如負(fù)載短路保護(hù)、過(guò)壓關(guān)斷、過(guò)熱關(guān)斷、反接保護(hù)等,而且串聯(lián)調(diào)整管也可以采用MOSFET。

LDO的工作條件

Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要兩個(gè)外接電容:Cin、Cout,一般采用鉭電容MLCC。
注意:LDO是穩(wěn)壓器

LDO的四大要素

壓差Dropout、噪音Noise、共模/紋波抑制比(PSRR)、靜態(tài)電流Iq,這是LDO的四大關(guān)鍵數(shù)據(jù)。產(chǎn)品設(shè)計(jì)師按產(chǎn)品負(fù)載對(duì)電性能的要求結(jié)合四大要素來(lái)選擇LDO。
在手機(jī)上用的LDO要求盡可能小的噪音(紋波),在沒(méi)有RF的便攜式產(chǎn)品需求靜態(tài)電流小的LDO。
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